原标题:KAIST开发新外延技术提高MicroLED效率
据3月22日消息,韩国科学技术院(KAIST)电气电子工程系SangHyeonKim教授的研究团队重新审视了MicroLED(LED)效率下降的现象,发现通过外延结构工程可以从根本上解决这个问题。
据悉,MicroLED的制造需要通过蚀刻工艺,将晶圆上生长的外延结构切割成圆柱体或长方体形状。蚀刻工艺还伴随着基于等离子体的制造工艺。然而,这些等离子体可能会在MicroLED像素制造过程中在像素侧壁上形成缺陷。
随着像素尺寸变小、分辨率提高,像素的表面积与体积比增大,加工过程中出现的器件侧壁缺陷将进一步降低MicroLED的器件效率。目前,已经有大量关于侧壁缺陷减少或去除的相关研究,但该方法的效果有限,必须在外延结构生长完成后的后处理阶段进行。
针对上述问题,SangHyeonKim教授的研究团队发现,在MicroLED器件工作过程中,根据外延结构的不同,流向MicroLED侧壁的电流存在差异。通过这一发现,团队构建了一种对侧壁缺陷不敏感的外延结构,以解决MicroLED器件小型化导致的效率降低的问题。
此外,与现有的外延结构相比,此次提出的结构使MicroLED器件在工作时产生的热量减少了约40%,这对于超高分辨率MicroLED显示器的商业化具有重要意义。
具有不同厚度量子势垒的外延结构MicroLED在电流作用下的电致发光分布图
相同光量下不同外延结构器件的热分布图
由尺寸优化的外延结构制造的LED器件的标准化外部量子效率
SangHyeonKim教授表示,这项技术的发展对于找出MicroLED效率下降的原因具有重要意义。效率的下降是MicroLED小型化的障碍。这个问题可以通过外延结构的设计来解决。他对这项技术的未来充满期待。该研究将应用于超高分辨率显示器的制造。
该研究发表在3月17日的期刊《自然》上。(LEDinsideIrving编译)
论文链接:https://www.nature.com/articles/s41467-023-36773-w
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